株式会社東芝は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトにおいて、次世代パワー半導体デバイス製造技術開発事業にテーマ名「次世代高電力密度産業用電源（サーバー・テレコム・FA等）向けGaNパワーデバイスの開発」で応募し、採択を受けた。
　データ社会の高度化の進展により、データセンターのサーバー、テレコム、AV機器、FA機器、モバイル機器などあらゆる電子機器に採用されているスイッチング電源の台数は増大し、2024年には世界で80億台もの出荷が見込まれている。これに伴い、高効率で低消費電力な環境に配慮したスイッチング電源や、より小型・軽量で利便性の高いスイッチング電源への期待も大きくなっている。

　現在のスイッチング電源では主にSi(シリコン)パワーデバイスが使われているが、同デバイスでは電力密度の向上が頭打ちとなっており、優れたオン抵抗と高周波特性を持つGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを用いることで、機器の低損失化や高出力化、さらには冷却ユニット削減や高周波スイッチングによる小型化といったブレークスルーが期待されている。

　同事業では、2022年度～2028年度に、同社が高品質・低コスト化のためのエピタキシャル成長技術や、新構造GaN-FET(電界効果トランジスター)及び周辺回路の開発を行い、Siパワーデバイス並みの使いやすさを備えたMHzスイッチングが可能なGaNパワーデバイスを開発する。国内大手電源メーカーと連携し、本事業で開発したデバイスを用いて産業用スイッチング電源応用の検証を行い、スイッチング電源市場の要求を満たすGaNパワーデバイスを早期に市場に提供できるよう努める、としている。
【株式会社東芝】